Beschleunigen Sie die Zugriffsleistung Ihres Synology NAS
M.2 2280 NVMe SSD speziell für Synology NAS mit integrierten M.2-Steckplätzen
M.2 22110 NVMe SSD für anspruchsvolle Einsätze als Cache im Synology Rack-NAS
Die Synology SNV3000-Serie NVMe SSD wurden entwickelt für intensive Zwischenspeicher-Workloads in rund um die Uhr betriebenen Mehrbenutzerumgebungen. Mit ihrer robusten Leistung beschleunigt sie das System und die Verarbeitung häufig verwendeter Daten, optimiert die Datenspeicherung und minimierte Unterbrechungen auf Ihrem Synology NAS.
Bis zu 70.000 4K Random-Schreib-IOPS1
988 TBW für 24/7-Workloads in Unternehmen2
Umfassender Schutz für Daten
Praktische Erkenntnisse für optimale Leistung und Lebensdauer
Die für System-Cache entwickelte Synology SNV3000-Serie beschleunigt die Zugriffsleistung und reduziert die Latenz in anspruchsvollen und rund um die Uhr betriebenen Umgebungen. Mit zuverlässiger hoher Leistung von über 375.000/70.000 4K Random Read/Write IOPS1 und einer Lebensdauerbewertung von 988 TBW2 ist sie ideal für Multimedia-Nachbearbeitung und Datenbankanwendungen.
Die Synology SNV3000-Serie verfügt über integrierten End-to-End-Datenschutz und schützt so die Datenintegrität während der gesamten Übertragung. Die SNV3500 verfügt über integrierten Schutz vor Stromausfall3, der zusätzlich Beschädigung von Daten beim ungeplanten Herunterfahren verhindert: Dedizierte Kondensatoren ermöglichen bei einem Stromausfall das Schreiben der Daten im Zwischenspeicher in den NAND-Flashspeicher und die Firmware wurde programmiert, um einen korrekten Neustart nach Wiederherstellung der Stromversorgung zu ermöglichen.
Dank der vollständigen Integration in den Synology DiskStation Manager (DSM) können Analysen zur Lebensdauer der SNV3000-Serie basierend auf den tatsächlichen Workloads berechnet werden4:
Mit rechtzeitigen Benachrichtigungen können Sie weiter vorausplanen für unterbrechungsfreien Betrieb und maximale Lebensdauer.
Dank einfacher Überwachung der Leistung können Sie jede SSD optimal nutzen.
Die Synology SNV3000-Serie wird nach jeder technischen Änderung ausführlich auf Kompatibilität mit unseren Systemen getestet. Diese ist somit auch bei Änderungen an Firmware und Komponenten sichergestellt. Intensive I/O-Belastungstests, Stromausfalltests und Temperaturtests stellen sicher, dass alle Produkte unsere höchsten Standards hinsichtlich Qualität und Zuverlässigkeit erreichen.
Hinweise:
Allgemein | SNV3000-Serie |
Kapazität |
400 GB |
Formfaktor |
SNV3400-400G: M.2 2280 SNV3500-400G: M.2 22110 SNV3400-800G: M.2 2280 SNV3500-800G: M.2 22110 |
Schnittstelle |
NVMe PCIe 3.0 x4 |
Leistung | |
Sequentielles Lesen (128KB, QD32) |
3,100 MB/s |
Sequentielles Schreiben (128KB, QD32) |
550 MB/s |
Zufälliges Lesen (4KB, QD256) |
205,000 IOPS |
Zufälliges Schreiben (4KB, QD256) |
40,000 IOPS |
Lebensdauer und Zuverlässigkeit | |
Terabytes Written (TBW)* |
500 TB |
Drive Writes Per Day (DWPD) |
0.68 |
Mean Time Between Failures (MTBF) |
1.8 Millionen Stunden |
Uncorrectable Bit Error Rate (UBER) |
< 1 sector per 1017 bits read |
Schutz vor Stromausfall |
SNV3400-400G: Nein SNV3500-400G: Ja SNV3400-800G: Nein SNV3500-800G: Ja |
Garantie* |
5 Jahre |
Hinweise |
|
Stromverbrauch | |
Versorgungsspannung |
3.3V (± 5%) |
Aktives Lesen (Typ.) |
SNV3400-400G: 3.2 W SNV3500-400G: 3.7 W SNV3400-800G: 4.5 W SNV3500-800G: 5.1 W |
Aktives Schreiben (Typ.) |
SNV3400-400G: 3.2 W SNV3500-400G: 3.4 W SNV3400-800G: 4.5 W SNV3500-800G: 5.0 W |
Ruhezustand |
2.0 W |
Hinweise |
Energieverbrauch kann je nach Konfiguration und Plattform abweichen. |
Temperatur | |
Betriebstemperatur |
0°C bis 70°C (32°F bis 158°F) |
Lagertemperatur |
-40°C bis 85°C (-40°F bis 185°F) |
Sonstige | |
Größe (Höhe x Breite x Tiefe) |
SNV3400-400G: 3.5 mm x 22 mm x 80 mm SNV3500-400G: 4.5 mm x 22 mm x 110 mm SNV3400-800G: 3.5 mm x 22 mm x 80 mm SNV3500-800G: 4.5 mm x 22 mm x 110 mm |
Zertifizierung |
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Kompatibilität |
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Unterstützte Modelle |
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Hardware-Spezifikationen |
SNV3400-400G |
SNV3500-400G |
SNV3400-800G |
SNV3500-800G |
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|---|---|---|---|---|---|
| Allgemein | Kapazität | 400 GB | 400 GB | 800 GB | 800 GB |
| Formfaktor | M.2 2280 | M.2 22110 | M.2 2280 | M.2 22110 | |
| Schnittstelle | NVMe PCIe 3.0 x4 | NVMe PCIe 3.0 x4 | NVMe PCIe 3.0 x4 | NVMe PCIe 3.0 x4 | |
| Leistung | Sequentielles Lesen (128KB, QD32) | 3,100 MB/s | 3,100 MB/s | 3,100 MB/s | 3,100 MB/s |
| Sequentielles Schreiben (128KB, QD32) | 550 MB/s | 550 MB/s | 1,000 MB/s | 1,000 MB/s | |
| Zufälliges Lesen (4KB, QD256) | 205,000 IOPS | 205,000 IOPS | 375,000 IOPS | 375,000 IOPS | |
| Zufälliges Schreiben (4KB, QD256) | 40,000 IOPS | 40,000 IOPS | 70,000 IOPS | 70,000 IOPS | |
| Lebensdauer und Zuverlässigkeit | Terabytes Written (TBW)* | 500 TB | 500 TB | 988 TB | 988 TB |
| Drive Writes Per Day (DWPD) | 0.68 | 0.68 | 0.68 | 0.68 | |
| Mean Time Between Failures (MTBF) | 1.8 Millionen Stunden | 1.8 Millionen Stunden | 1.8 Millionen Stunden | 1.8 Millionen Stunden | |
| Uncorrectable Bit Error Rate (UBER) | < 1 sector per 1017 bits read | < 1 sector per 1017 bits read | < 1 sector per 1017 bits read | < 1 sector per 1017 bits read | |
| Schutz vor Stromausfall | - | - | |||
| Garantie* | 5 Jahre | 5 Jahre | 5 Jahre | 5 Jahre | |
| Hinweise |
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| Stromverbrauch | Versorgungsspannung | 3.3V (± 5%) | 3.3V (± 5%) | 3.3V (± 5%) | 3.3V (± 5%) |
| Aktives Lesen (Typ.) | 3.2 W | 3.7 W | 4.5 W | 5.1 W | |
| Aktives Schreiben (Typ.) | 3.2 W | 3.4 W | 4.5 W | 5.0 W | |
| Ruhezustand | 2.0 W | 2.0 W | 2.0 W | 2.0 W | |
| Hinweise | Energieverbrauch kann je nach Konfiguration und Plattform abweichen. | ||||
| Temperatur | Betriebstemperatur | 0°C bis 70°C (32°F bis 158°F) | 0°C bis 70°C (32°F bis 158°F) | 0°C bis 70°C (32°F bis 158°F) | 0°C bis 70°C (32°F bis 158°F) |
| Lagertemperatur | -40°C bis 85°C (-40°F bis 185°F) | -40°C bis 85°C (-40°F bis 185°F) | -40°C bis 85°C (-40°F bis 185°F) | -40°C bis 85°C (-40°F bis 185°F) | |
| Sonstige | Größe (Höhe x Breite x Tiefe) | 3.5 mm x 22 mm x 80 mm | 4.5 mm x 22 mm x 110 mm | 3.5 mm x 22 mm x 80 mm | 4.5 mm x 22 mm x 110 mm |
| Zertifizierung |
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Kompatibilität |
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| Unterstützte Modelle | |||||
